SJT 10698-1996 非晶硅标准太阳电池
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ID： |
6D9D91F507294B4194755E060045BF20 |
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0.38 |
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7 |
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日期： |
2024-7-28 |
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备案号:必一 1997 SJ,中华人民共和国电子行业标准,SJ/T 10698-1996,非晶硅标准太阳电池,Amorphous silicon reference solar cell,1996心22发布 1996J1-0I实施,中华人民共和国电子工业部批准,前 言,本标准由电子工业部行准化研究所归口,本毎准由南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,电子工业部标准化研究所,有色金属研,究总院负责起草,本标准主要起草人:李长健,纪善恩,王世昌,胡 汛,由志德,中华人民共和国电子行业标准,非晶硅标准太阳电池,Amorphous silicon reference solar cell,SJ/T 10698-199fi,范围,本标准规定了非晶硅AML5标准太阳电池(以下简称“小晶硅标准太阳电池”)的要求、,试验方法、检卷规则、分类与命名以及标志、包装、储存、运输等,本标准还规定了二级非品萍:标准太阳电池的限定方怯和记录内容,本标解适用于单结和叠层非晶硅太阳电池,不适用于弱光非晶硅太阳电池,2弓I用标准,下列标准所包含的条文,通过本标准中引用而构成本阮准的条文c本标准出版时,所示版,本均为有效。所有标准都会被修订,使用本标淮的各方应探讨使用ド列标准最新版本的可靠,性,GB 11011- 89 生晶硅太阳出池电性能测试的一般规定,1EC 904-2-89 毋准太阳电池的耍求,3定义,本标准果用下列定义,3.I 弱光非晶硅太阳电池 dim light amorphous silicon solar cells,指应用于弱光条件下的非晶硅太阳电池,所谓弱光一般指室内人造光源如荧光灯.、白炽,灯駕所发的光,其光,噴度在20Lx到lOOOLx之间。白天室内散射光亦可看作是弱光条件°目,前弱光非晶硅太阳电池主吸应用于电广计算器和电子手表上,3.2 EVA(ethylene ~ vinyl fidetate copolymers),ー种聚烯煌理料,可谓“热熔峻”,又称EVA膜,4分类与命名,4J分类,非晶硅乐准太阳电池1寸用经老憔、筛选的单结和叠层非品建太阳电池来制作,也可以用单,晶珪太阳电池加适当滤光片来制作,非晶硅阮准太阳电池分为ー级、二级标准太阳电池,:由国家专门计量单位メナ?级和二级,标准太阳电池进行标定,中华人民共和国电子工业部1996-07-22批准 I996-11-0I实施,—1 —,SJ/T 10698-1996,ー级非晶硅标准太阳电池烟以国家标准辐射计或其他光能计量标准器具为基准,在自然,光或太阳模拟器条件下加以标定的专用太阳电池,二级下晶硅标准太阳电池在自燃光或太阳模拟器条件下依据ー级非晶硅标准太阳电池进,行标定,4.2命名,非晶硅标准太阳也池里号命名方法见義農,示例:1 A S 9501,T ー匸编号（95年制造、顺序号为1）,'----- 表示单结非晶硅太阳电池,---------表示ナ晶硅标准太阳电池,―表示“一级”,我,5要求,第…部分第二部分第三部分第四部分,型号意 义符号意义符号意义符号意义,1,ー级非晶,硅标群.太,阳电池,A 非晶硅标,准太阳电,地,S 県结生晶,硅标准太,阳电池,用四位有,效数字表,示,前两位为,年代号,后,两位为顺,序号,2,二级非品,硅标准太,阳电池,丁叠层非品,硅标准太,阳电池,5.I 外观,非晶硅限准太阳电池表面应完整、清怙、无机械损伤,电池与基座应粘贴牢固,边缘要密,封,5.2 视角,非晶硅标准太阳池池的视角应大于:160Z,5.3 设计与结构,5 3.1选作标定用的太阳电.池的光谱响应保证该电池在以后的使用中由于光谱响应不匹配,而引起的电性能测量误差不大干± I欧。光谱失配误差按GB 11011中的附录A计算,5.3.2 非晶硅标准太阳电池采用封装形式,它由窗口玻璃、太阳电池、金属外壳、滤光片、连接,导线及插座、透明胶组成“金属外壳的上表面及内表面应具有不反射的光学特性。温度传感,器应紧密附着于太阳电池的背表面匚封装的具体要求按【EC9Q4-2-89第九章的规定。对,于玻璃衬底需品玮标准太阳电池不需另加窗口保护玻璃,5.3.3 非晶硅太阳电池一般由分割成条状的若干单体电池串联而成。因此用作非晶硅标准,太阴电池的电池应至少包括彼此吊联的-个单体电池,5.3.4 隨封裝,用来制作非晶硅标准太阳电池的非晶硅电池应进行朝时装。的对装用热压EVA膜或其,—— 2 -,SJ/T 10698-1996,他材料,5.4 老炼与師选,用来制作非晶硅标准太阳电池的单结和叠层非晶硅电池必须进行老炼。选择电性能稳定,者作为非晶硅标准太阳电池,即其光伏特性く主要指短路电流）在老炼的最后ー个月内（自然阳,光下）或最后60h,内（模拟阳光下）的变化值不大于初始值的5%,5.5 温度测量误差,非晶硅太阳电池的温度测量误差应不大于± 1C,5.6 绝缘电阻,太阴电池、金属外壳以及测温元件.三者之间的绝缘电阻应大于fOOMf1,5.7 环境适应性,5.7.1 高温贮存,非晶硅标准太阳电池在温度85C ±2C的条件下,存放16ho,5.7.2 低温贮存,非晶硅标准太阳电池在温度ー 40匕二3セ的条件ド,存放!6hc,5.7.3 温度冲击,非晶硅标准太阳电池在温度ー4GC ~85c的条件下,以5t/min的温度变化速率循环!0,次,5.7.4 稳态湿热,非晶硅标准太阳电池在温度4（汽二2セ,相对湿度90% - 95 %的环境中放置96h,5.7.5 光照,非晶硅标准太阳电池按6.6.5的规定,经受二.个光噸试验周期,5.8 电性能测量,每次环境试睑后，电性能测量的袁退应小……
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